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[台積電：首款7奈米EUV晶片已送交製造 明年4月5奈米風險試產][DIGITIMES][2018-10-12]
台積電上週對外揭露該公司7奈米及5奈米製程更多進展，如宣布已成功將其首款採該公司第2代7奈米製程技術生產的晶片送交製造(tap out)，並揭露準備在2019年4月開始風險生產5奈米製程的計畫。由此顯示，台積電採極紫外光微影技術生產的7奈米晶片製程已達最後就緒階段，這與現階段台積電已投入量產的7奈米製程是不一樣的，能夠提供更快速的生產效率。根據AnandTech及SegmentNext報導，台積電4月開始大規模生產(HVM)的首代7奈米製程(N7)，仍是採具ArF準分子雷射的深紫外光(DUV)微影技術。然而台積電第2代7奈米製程技術(N7+)則是針對4個「簡單層」(non-critical layer)採用EUV微影技術製造，主要是為了加速生產，以及學習如何以ASML的Twinscan NXE步進掃描式系統進行大規模生產。
對於台積電已開始將採第2代7奈米製程生產的晶片送交製造，外界沒有感到太大意外，即使N7+相較於N7製程帶來的效能提升優勢並不顯著，但對於每年需要發表新款晶片的行動系統單晶片(SoC)開發商來說，預期仍將幾乎全然接受這新一代製程。
值得注意的是，台積電也正準備針對汽車產業晶片需求推出專用版本製程，由此似乎意指N7+製程可望變成一個投入量產時間週期很長的製程節點。
N7+的下一代製程則是台積電首代5奈米製程(N5)，N5製程將採用EUV技術達14層，這將有助在密度上帶來顯著提升，但這也需要台積電廣泛採用EUV設備。與台積電N7製程相較，N5製程電晶體密度比N7高出達1.8倍，在相同條件下頻率提升15%，並可減少20%功率消耗。
若從台積電從開始風險試產到最後投入大規模生產通常所需時間約1年期來看，外媒推估台積電5奈米製程可能會在2020年第2季投入量產，若為真，便能趕上預計2020年下半新推出智慧型手機內建SoC的生產需求。
外媒預測，N5製程節點的電子設計自動化工具將在11月準備就緒，因此目前晶片設計可能已在進行。就算部分N5製程所需基礎要素準備就緒，但PCIe Gen 4和USB 3.1 PHYs這類仍要等到2019年6月才可見準備就緒，即使對部分台積電客戶來說少了這些不構成問題，但多數客戶仍需要等待。
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台積賣肝救台灣
台積太強惹<br><br><br><br><br><div></div>
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